Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыSDRAM - ИС памяти DDR 512 МБ (32M x 16) Параллельный 200 МГц 700ps 66-TSOP II

Подробное описание

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

1 080 ₽

- +

Бонус: 21.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 080 ₽

Купить

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-66
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0024
серия	AS4C32M16D1A
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	66-TSOP II
напряжение питания - макс.	2.7 V
напряжение питания - мин.	2.3 V
voltage - supply	2.3V ~ 2.7V
Вес и габариты
technology	SDRAM - DDR
организация	32 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	64 Mbit
memory size	512Mb (32M x 16)
максимальная тактовая частота	200 MHz
memory type	Volatile
memory format	DRAM
access time	700ps
clock frequency	200MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	15ns
Тип	SDRAM - DDR1

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C32M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40?95°C