AS4C32M16D1-5BIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySDRAM - ИС памяти DDR 512 МБ (32M x 16) Параллельный 200 МГц 700ps 60-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
2 060
- +
Бонус: 41.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySDRAM - ИС памяти DDR 512 МБ (32M x 16) Параллельный 200 МГц 700ps 60-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case60-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки240
тип продуктаDRAM
торговая маркаAlliance Memory
упаковкаTray
упаковка / блокTFBGA-60
eccnEAR99
htsus8542.32.0028
серияAS4C32M16D1
reach statusREACH Unaffected
supplier device package60-TFBGA (8x13)
напряжение питания - макс.90 mA, 2.7 V
напряжение питания - мин.2.3 V
voltage - supply2.3V ~ 2.7V
Вес и габариты
technologySDRAM - DDR
организация32 M x 16
ширина шины данных16 bit
размер памяти512 Mbit
memory size512Mb (32M x 16)
максимальная тактовая частота200 MHz
memory typeVolatile
memory formatDRAM
время доступа0.7 ns
access time700ps
clock frequency200MHz
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page15ns
ТипSDRAM - DDR1
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль