Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 1 МБ x 16 SDRAM

Подробное описание

Основные
вес, г	0.52
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 70 C

580 ₽

- +

Бонус: 11.6 !

Бонусная программа

Итого: 580 ₽

Купить

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 1 МБ x 16 SDRAM

Основные
вес, г	0.52
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 70 C
минимальная рабочая температура	0 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	117
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-50
чувствительный к влажности	Yes
серия	AS4C1M16S-7
напряжение питания - макс.	70 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
Вес и габариты
организация	1 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	16 Mbit
максимальная тактовая частота	143 MHz
время доступа	5.4 ns
Тип	SDRAM

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C1M16S-7TCN, IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0?70°C