Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16M, 3.3V, 143Mhz 1M x 16 Sync DRAM

Подробное описание

Основные
вес, г	2.51
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

610 ₽

- +

Бонус: 12.2 !

Бонусная программа

Итого: 610 ₽

Купить

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16M, 3.3V, 143Mhz 1M x 16 Sync DRAM

Основные
вес, г	2.51
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
категория продукта	DRAM
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	117
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0002
серия	AS4C1M16S-6
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	50-TSOP II
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SDRAM
memory size	16Mb (1M x 16)
memory type	Volatile
memory format	DRAM
access time	5.4ns
clock frequency	166MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	2ns
Тип	SDRAM

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C1M16S-6TIN, IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; -40?85°C