Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыПамять SDRAM IC 256 МБ (16M x 16) Параллельный 166 МГц 5ns 54-TSOP II

Подробное описание

Основные
вес, г	3.1
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

1 130 ₽

- +

Бонус: 22.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 130 ₽

Купить

Основные
вес, г	3.1
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0024
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	54-TSOP II
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SDRAM
memory size	256Mb (16M x 16)
memory type	Volatile
memory format	DRAM
access time	5ns
clock frequency	166MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	12ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C16M16SA-6TIN, Микросхема памяти, SDRAM, 16Mx16бит, 3,3В, 6нс, TSOP54