Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP II

Подробное описание

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

Все характеристики

1 290 ₽

– +

Бонус: 25.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 290 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-TSOP II
voltage - supply	2.5V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

62WV5128BLL-55T2LI, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,5?3,6В; 55нс; TSOP32 II; -40?85°C

Похожие товары Сравнить все