Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async Стат. ОЗУ

Подробное описание

Основные
вес, г	0.2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C

1 010 ₽

– +

Бонус: 20.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 010 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	19
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	SOJ-36
чувствительный к влажности	Yes
серия	IS61WV5128BLL
pin count	36
напряжение питания - макс.	45 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.4 V
тип интерфейса	Parallel
eu rohs	compliant
lead shape	J-Lead
maximum operating temperature (°c)	85
mounting	surface mount
part status	active
pcb changed	36
standard package name	SOJ
supplier package	SOJ
eccn (us)	3A991b.2.a.
minimum operating temperature (°c)	-40
supplier temperature grade	Industrial
maximum operating supply voltage (v)	3.6
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)	2.4
typical operating supply voltage (v)	2.5\|3.3
организация	512 k x 8
number of ports	1
количество портов	1
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
время доступа	10 ns
chip density (bit)	4M
max. access time (ns)	10
operating current (ma)	45
number of bits/word (bit)	8
number of words	512K
timing type	Asynchronous
data rate architecture	SDR
Тип	Asynchronous

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

61WV5128BLL10KLI, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4?3,6В; 10нс; SOJ36; параллельный