61WV51216EDBLL8TLI, IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4?3,6В; 8нс; TSOP44 II; -40?85°C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61WV51216EDBLL-8TLI
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
3 270
+
Бонус: 65.4 !
Бонусная программа
Итого: 3 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
серияIS61WV51216EDBLL
напряжение питания - макс.55 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.4 V
тип интерфейсаParallel
Вес и габариты
организация512 k x 16
размер памяти8 Mbit
тип памятиSDR
время доступа8 ns
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль