Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 8M (512Kx16) 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v

Подробное описание

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

4 140 ₽

– +

Бонус: 82.8 !

Бонусная программа

Итого: 4 140 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	135
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-44
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	IS61WV51216BLL
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	44-TSOP II
напряжение питания - макс.	25 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.4 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.4V ~ 3.6V
Вес и габариты
диапазон данных	SDR
technology	SRAM - Asynchronous
организация	512 k x 16
количество портов	1
размер памяти	8 Mbit
memory size	8Mb (512K x 16)
максимальная тактовая частота	100 MHz
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	10 ns
access time	10ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	10ns
Тип	Asynchronous

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

61WV51216BLL-10TLI, Память, SRAM, 512Кx16бит, 2,4-3,6В, 10нс, TSOP44 II, -40-85°C