61WV25616EDBLL8TLI, IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TSOP44 II; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61WV25616EDBLL-8TLI
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 4Mb (256K x 16) 8ns Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
1 290
+
Бонус: 25.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 4Mb (256K x 16) 8ns Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г0.2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
чувствительный к влажностиYes
серияIS61WV25616EDBLL
напряжение питания - макс.45 mA, 3.63 V
напряжение питания - мин.2.97 V
тип интерфейсаParallel
Вес и габариты
организация256 k x 16
размер памяти4 Mbit
тип памятиSDR
время доступа8 ns
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль