24AA04-I/P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\EEPROMEEPROM 512x8 - 1,8 В
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\EEPROMEEPROM 512x8 - 1,8 В
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
package / case8-DIP (0.300"", 7.62mm)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаEEPROM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки60
тип продуктаEEPROM
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTube
упаковка / блокPDIP-8
eccnEAR99
htsus8542.32.0051
серия24AA04
рабочий ток источника питания3 mA
reach statusREACH Unaffected
supplier device package8-PDIP
длина9.4 mm
рабочее напряжение питания1.8 V to 5.5 V
pin count8
packagingTube
напряжение питания - макс.5 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.1.8 V
тип интерфейса2-Wire, I2C
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)85
mountingThrough Hole
part statusactive
pcb changed8
ppapNo
standard package nameDIP
supplier packagePDIP
base product number24AA04 ->
voltage - supply1.7V ~ 5.5V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)5.5
interface typeSerial-I2C
Вес и габариты
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
maximum operating frequency (mhz)0.1
minimum operating supply voltage (v)1.7
typical operating supply voltage (v)1.8|2.5|3.3|5
technologyEEPROM
организация512 x 8
programmabilityYes
размер памяти4 kbit
memory size4Kb (256 x 8 x 2)
максимальная тактовая частота100 kHz
memory typeNon-Volatile
memory formatEEPROM
время доступа900 ns
программирующее напряжение1.7 V to 5.5 V
сохранение данных200 Year
chip density (bit)4K
data retention (year)200(Min)
hardware data protectionYes
max. access time (ns)3500
operating current (ma)3
organization2Blockx256x8
programming voltage (v)1.7 to 5.5
access time900ns
clock frequency400kHz
memory interfaceIВІC
write cycle time - word, page5ms
Высота 3.3 мм
Ширина6.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль