BCM847BS.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCM847BS.115
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.044
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Логические ИСМатрица биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (двойная) согласованная пара 45 В 100 мА 250 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.044
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
КорпусTSSOP6
base product numberBCM847 ->
Корпус
collector-emitter breakdown voltage45V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке3000
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain200
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package typeSOT-363(SC-88)
партномер8004294462
pd - power dissipation300mW
pin count6
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package6-TSSOP
transistor configurationCurrent Mirror
transistor type2 NPN (Dual) Matched Pair
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки1:24:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль