NCP5106BDR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCP5106BDR2G
Электронные компоненты Микросхемы Контроллеры и мониторы питания ON Semiconductor NCP5106BDR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET ...
ON Semiconductor***
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки30.04.2024
Время загрузки19:39:15
БрендON Semiconductor***
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Half Bridge 2 250mA 85ns 35ns 10V~20V 500mA SOIC-8-150mil Gate Drive ICs ROHS
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки30.04.2024
Время загрузки19:39:15
БрендON Semiconductor***
Вес и габариты
driven configurationHalf Bridge
fall time35ns
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
load typeIGBT;MOSFET
number of drivers2
operating temperature-40℃~+125℃@(TJ)
партномер8007406768
rise time85ns
supply voltage10V~20V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль