Name: ZXMN6A09GTA, Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Brand: DiodesZetex
SKU: ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA, Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Электронные компоненты Микросхемы Источники опорного напряжения Diodes ZXMN6A09GTA, Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A ...

Подробное описание

Информация о производителе
Производитель	DiodesZetex
Основные
Дата загрузки	30.04.2024
Время загрузки	0:57:20
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 6,2А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Информация о производителе
Производитель	DiodesZetex
Основные
Дата загрузки	30.04.2024
Время загрузки	0:57:20
Бренд	DIODES INC.
Вес и габариты
Высота	1.8мм
channel mode	Enhancement
channel type	N
число контактов	3+Tab
длина	6.7мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	60 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	03.09.2024
максимальное сопротивление сток-исток	60 МОм
максимальный непрерывный ток стока	7,5 А
материал транзистора	Кремний
maximum continuous drain current	7.5 A
maximum drain source resistance	60 mΩ
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	3V
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	3.9 W
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum operating temperature	-55 °C
mounting type	Surface Mount
номер канала	Поднятие
number of elements per chip	1
package type	SOT-223
партномер	8003290376
pin count	3
размеры	6.7 x 3.7 x 1.8мм
типичная входная емкость при vds	1407 пФ при 40 В
типичное время задержки включения	4,9 нс
типичное время задержки выключения	25,3 нс
типичный заряд затвора при vgs	24,2 нКл при 5 В
тип канала	N
тип корпуса	SOT-223
тип монтажа	Surface Mount
transistor configuration	Одинарный
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	24.2 nC @ 5 V
Ширина	3.7 мм
width	3.7mm

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Источники опорного напряжения ZXMN6A09GTA