PMPB14R8XNX, MOSFET MOS DISCRETES

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PMPB14R8XNX
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Nexperia PMPB14R8XNX, MOSFET MOS DISCRETES
Nexperia B.V.
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:27:04
БрендNexperia B.V.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETSmall-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:27:04
БрендNexperia B.V.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:5 ns
forward transconductance - min:17.9 S
id - continuous drain current:10 A
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:Nexperia
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package / case:DFN2020M-6-8
партномер8021502547
part # aliases:9,34665E+11
pd - power dissipation:1 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:6.5 nC
rds on - drain-source resistance:34.8 mOhms
rise time:5 ns
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:10 ns
typical turn-on delay time:3 ns
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
vgs - gate-source voltage:-12 V, +12 V
vgs th - gate-source threshold voltage:900 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль