NCV8440ASTT3G, MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCV8440ASTT3G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| Дата загрузки | 29.04.2024 |
| Время загрузки | 5:27:07 |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Вес и габариты | |
| channel mode: | Enhancement |
| configuration: | Single |
| factory pack quantity | 4000 |
| fall time: | 1160 ns |
| id - continuous drain current: | 2.6 A |
| категория | Электронные компоненты/Микросхемы |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| number of channels: | 1 Channel |
| package/case: | SOT-223-3 |
| партномер | 8005374269 |
| pd - power dissipation: | 1.69 W |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| qg - gate charge: | 4.5 nC |
| qualification: | AEC-Q100 |
| rds on - drain-source resistance: | 180 mOhms |
| rise time: | 1525 ns |
| subcategory: | MOSFETs |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | N-Channel |
| transistor type: | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time: | 1530 ns |
| typical turn-on delay time: | 375 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 52 V |
| вес, г | 0.26 |
| vgs - gate-source voltage: | -15 V, +15 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 1.1 V |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
