NCD5702DR2G, Gate Drivers IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NCD5702DR2G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затворомДрайверы для управления затвором IGBT GATE DRIVER HIGH CURRENT
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки
29.04.2024
Время загрузки
5:28:35
Бренд
ON Semiconductor***
Вес и габариты
категория
Электронные компоненты/Микросхемы
категория продукта
Драйверы для управления затвором
количество драйверов
1 Driver
количество выходов
1 Output
максимальная рабочая температура
+ 125 C
максимальное время задержки включения
75 ns
максимальное время задержки выключения
75 ns
минимальная рабочая температура
40 C
напряжение питания - макс.
30 V
напряжение питания - мин.
5 V
отключение
Shutdown
партномер
8004651888
pd - рассеивание мощности
900 mW
подкатегория
PMIC - Power Management ICs
продукт
IGBT, MOSFET Gate Drivers
рабочий ток источника питания
900 uA
размер фабричной упаковки
2500
технология
Si
тип продукта
Gate Drivers
торговая марка
ON Semiconductor
Тип
High Side, Low Side
упаковка / блок
SOIC-16
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
9.2 ns
время спада
7.9 ns
выходной ток
7.8 A
задержка распространения - макс.
75 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26