NCD5701ADR2G, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 4A, 13.2В до 20В питание, 56нс/63нс задержка, SOIC-8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NCD5701ADR2G
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor NCD5701ADR2G, Драйвер БТИЗ, полумостовой, 4A ...
ON Semiconductor***
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:45:22
БрендON Semiconductor***
530
+
Бонус: 10.6 !
Бонусная программа
Итого: 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Драйверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:45:22
БрендON Semiconductor***
Вес и габариты
driven configurationLow Side
fall time19ns
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
категория продуктаДрайверы для управления затвором
количество драйверов1 Driver
количество выходов1 Output
load typeIGBT
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальное время задержки включения75 ns
максимальное время задержки выключения75 ns
минимальная рабочая температура40 C
напряжение питания - макс.30 V
напряжение питания - мин.15 V
number of drivers1
operating temperature-40℃~+150℃@(Tj)
отключениеShutdown
партномер8571625584
pd - рассеивание мощности700 mW
подкатегорияPMIC - Power Management ICs
продуктIGBT, MOSFET Gate Drivers
рабочий ток источника питания10 uA
размер фабричной упаковки2500
rise time18ns
серияNCD5701
supply voltage20V
технологияSi
тип продуктаGate Drivers
торговая маркаON Semiconductor
ТипHigh Side, Low Side
упаковка / блокSOIC-8
вес, г0.1
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания18 ns
время спада19 ns
выходное напряжение800 mV, 14.1 V
выходной ток1 A
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль