MAX22702DASA+, Gate Drivers Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) gate driver

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MAX22702DASA+
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Analog Devices MAX22702DASA+, Gate Drivers Ultra-High CMTI ...
Analog Devices
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:37
БрендAnalog Devices
1 500
+
Бонус: 30 !
Бонусная программа
Итого: 1 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Single-channel isolated gate driver with ultra-high common-mode transient immunity (CMTI) of 300KV/µs (typ). The devices is designed to drive silicon-carbide (SiC) or gallium-nitride (GaN) transistors in various inverter or motor control applications with different output gate-drive circuitry and B-side supply voltages. It features variants with output options for adjustable undervoltage lockout UVLO. Devices has integrated digital galvanic isolation using Maxim's proprietary process technology. Also features isolation for a withstand voltage rating of 3KVRMS (narrow SOIC package) for 60 seconds. It supports a minimum pulse width of 20ns with a maximum pulse width distortion of 2ns. The MAX22702 has a maximum RDSON of 1.25ohm for the low-side driver. It has a maximum RDSON of 4.5ohm for the high side driver. Applications include isolated gate driver for inverters, motor drives, UPS and PV Inverters. • High CMTI (300KV/µs, typ)• Robust galvanic isolation• Withstands ±5KV surge between GNDA and VSSB with 1.2/50µs waveform• Precision UVLO• Differential input
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:37
БрендAnalog Devices
Вес и габариты
ic case / packageNSOIC
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов1канал(-ов)
количество выводов8вывод(-ов)
конфигурация приводаВысокая Сторона и Низкая Сторона
максимальная рабочая температура125 C
максимальное напряжение питания5.5В
минимальная рабочая температура-40 C
минимальное напряжение питания
партномер8006466304
стиль корпуса приводаNSOIC
тип переключателя питанияGaN HEMT, SiC MOSFET
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
задержка по входу35нс
задержка выхода35нс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль