MASTERGAN5, Gate Drivers High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MASTERGAN5
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ST Microelectronics MASTERGAN5, Gate Drivers High power density ...
STMicroelectronics
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:10:46
БрендSTMicroelectronics
2 100
+
Бонус: 42 !
Бонусная программа
Итого: 2 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The STMicroelectronics advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN power transistors.
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки6:10:46
БрендSTMicroelectronics
Вес и габариты
ic case / packageQFN
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов2канал(-ов)
количество выводов31вывод(-ов)
конфигурация приводаПолумост
корпус ис dc / dc преобразователяQFN-EP
максимальная рабочая температура125°C
максимальное напряжение питания15В
максимальное входное напряжение9.5В
минимальная рабочая температура-40°C
минимальное напряжение питания3.3В
минимальное входное напряжение4.75В
package typeVFQFPN 31L
партномер8008530631
pin count31
стиль корпуса приводаQFN
supply voltage600V
тип переключателя питанияGaN HEMT
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
выходной ток
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль