Name: MASTERGAN3TR, Gate Drivers High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
Brand: STMicroelectronics
SKU: MASTERGAN3TR

MASTERGAN3TR, Gate Drivers High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ST Microelectronics MASTERGAN3TR, Gate Drivers High power density ...

Подробное описание

Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Основные
Дата загрузки	29.04.2024
Время загрузки	6:10:46
Бренд	STMicroelectronics

Все характеристики

2 180 ₽

– +

Бонус: 43.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 180 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

The STMicroelectronics advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN power transistors.

Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Основные
Дата загрузки	29.04.2024
Время загрузки	6:10:46
Бренд	STMicroelectronics
Вес и габариты
категория	Электронные компоненты/Микросхемы
logic type	DMOS
package type	VFQFPN 31L
партномер	8008531597
pin count	31
supply voltage	11V

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

STMicroelectronics Драйверы MOSFET и IGBT MASTERGAN3TR