LM5102SD/NOPB, Полумостовой драйвер МОП-транзистора, питание 9В-14В, 1.8А на выходе, задержка 27нс, LLP-10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: LM5102SD/NOPB
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Texas Instruments LM5102SD/NOPB, Полумостовой драйвер ...
Texas Instruments
Информация о производителе
ПроизводительTexas Instruments
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:58
БрендTexas Instruments
900
+
Бонус: 18 !
Бонусная программа
Итого: 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы ЗатворовThe LM5102SD/NOPB is a high-voltage half-bridge Gate Driver with programmable delay. It is designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled. The rising edge of each output can be independently delayed with a programming resistor. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from control logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. • Drives both a high-side and low-side N-channel MOSFET• Independently programmable high and low-side rising edge delay• Supply rail under-voltage lockout protection• Low power consumption• Timer can be terminated midway through sequence• Drives 1000pF load with 15ns rise and fall time• 118VDC Bootstrap supply voltage• 25ns Typical fast turn-OFF propagation delay• Green product and no Sb/Br
Информация о производителе
ПроизводительTexas Instruments
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:58
БрендTexas Instruments
Вес и габариты
base product numberLM5102 ->
channel typeIndependent
current - peak output (source, sink)1.6A, 1.6A
driven configurationHalf-Bridge
eccnEAR99
gate typeN-Channel MOSFET
high side voltage - max (bootstrap)118V
htsus8542.39.0001
ic case / packageLLP
input typeNon-Inverting
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов2канал(-ов)
количество выводов10вывод(-ов)
конфигурация приводаПолумост
logic voltage - vil, vih0.8V, 2.2V
максимальная рабочая температура125°C
максимальное напряжение питания14В
минимальная рабочая температура-40°C
минимальное напряжение питания
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of drivers2
operating temperature-40В°C ~ 125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case10-WDFN Exposed Pad
партномер8002072451
reach statusREACH Unaffected
rise / fall time (typ)600ns, 600ns
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса приводаLLP
supplier device package10-WSON (4x4)
тип переключателя питанияMOSFET
тип входаNon-Inverting
ток истока1.6А
ток стока1.6А
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.2
voltage - supply9V ~ 14V
задержка по входу27нс
задержка выхода27нс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль