ISL89163FBEAZ, Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ISL89163FBEAZ
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Renesas ISL89163FBEAZ, Gate Drivers 6A PEAK HI SPD ...
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:52:55
БрендRenesas Technology
1 330
+
Бонус: 26.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:52:55
БрендRenesas Technology
Вес и габариты
base product numberISL89163 ->
channel typeIndependent
current - peak output (source, sink)6A, 6A
driven configurationLow-Side
eccnEAR99
gate typeN-Channel MOSFET
htsus8542.39.0001
input typeNon-Inverting
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
logic voltage - vil, vih1.22V, 2.08V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of drivers2
operating temperature-40В°C ~ 125В°C (TJ)
packageTube
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) Exposed Pad
партномер8005411807
reach statusREACH Unaffected
rise / fall time (typ)20ns, 20ns
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package8-SOIC-EP
вес, г0.075
voltage - supply4.5V ~ 16V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль