ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, MOSFET, 10 вывод(-ов), TDFN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ISL2111ARTZ-T
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Renesas ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов) ...
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:50:10
БрендRenesas Technology
1 330
+
Бонус: 26.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов• Drives N-Channel MOSFET half-bridge, bootstrap supply max voltage to 114VDC• On-chip 1W bootstrap diode, fast propagation times for multi-MHz circuits• Drives 1nF load with typical rise/fall times of 9ns/7.5ns• 3.3V/TTL compatible input thresholds• Independent inputs provide flexibility, no start-up problems• Outputs unaffected by supply glitches, HS ringing below ground or HS slewing at high dv/dt• Low power consumption, supply undervoltage protection• Wide supply voltage range from 8V to 14V• 1.6W/1W typical output pull-up/pull-down resistance• 10 Ld TDFN package, temperature range from -40 to +125°C
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:50:10
БрендRenesas Technology
Вес и габариты
ic case / packageTDFN
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов2канал(-ов)
количество выводов10вывод(-ов)
конфигурация приводаПолумост
максимальная рабочая температура125°C
максимальное напряжение питания14В
минимальная рабочая температура-40°C
минимальное напряжение питания
партномер8002732995
стиль корпуса приводаTDFN
тип переключателя питанияMOSFET
тип входаNon-Inverting
ток истока
ток стока
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 2-1 год
вес, г0.02
задержка по входу38нс
задержка выхода32нс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль