Name: IR2108SPBF, IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
SKU: IR2108SPBF

IR2108SPBF, IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора

IR2108SPBF, IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора

Подробное описание

Основные
вес, г	0.72
moisture sensitivity level (msl)	2 (1 Year)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

410 ₽

– +

Бонус: 8.2 !

Бонусная программа

Итого: 410 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники\Микросхемы\Аналоговые и смешанные микросхемы\Драйверы MOSFET/IGBTДрайверы для управления затвором HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V

Основные
вес, г	0.72
moisture sensitivity level (msl)	2 (1 Year)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Драйверы для управления затвором
количество выходов	2 Output
максимальная рабочая температура	+ 125 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs
продукт	Half-Bridge Drivers
размер фабричной упаковки	95
тип продукта	Gate Drivers
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOIC-8
eccn	EAR99
htsus	8542.39.0001
рабочий ток источника питания	1.6 mA
выходной ток	200 mA
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	8-SOIC
длина	5 mm
время нарастания	220 ns
время спада	80 ns
рабочее напряжение питания	10 V to 20 V
pd - рассеивание мощности	625 mW
другие названия товара №	SP001533162
напряжение питания - макс.	20 V
напряжение питания - мин.	10 V
base product number	IR2108 ->
voltage - supply	10V ~ 20V
input type	Non-Inverting
number of drivers	2
Вес и габариты
особенности	Synchronous
технология	Si
тип логики	CMOS, TTL
channel type	Independent
задержка распространения - макс.	300 ns
количество драйверов	2 Driver
rise / fall time (typ)	150ns, 50ns
current - peak output (source, sink)	200mA, 350mA
driven configuration	Half-Bridge
gate type	IGBT, N-Channel MOSFET
logic voltage - vil, vih	0.8V, 2.9V
максимальное время задержки включения	220 ns
максимальное время задержки выключения	200 ns
Высота	1.5 мм
high side voltage - max (bootstrap)	600V
напряжение высоковольтной части	600
Тип	Half Bridge
Ширина	4 мм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IR2108SPBF, IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора

Похожие товары Сравнить все