DGD2103MS8-13, IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; контроллер затвора

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DGD2103MS8-13
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Diodes DGD2103MS8-13, IC: driver; полумост ...
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:24:01
БрендDIODES INC.
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Gate Drivers Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:24:01
БрендDIODES INC.
Вес и габариты
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:35 ns
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+125 C
maximum turn-off delay time:220 ns
maximum turn-on delay time:820 ns
minimum operating temperature:-40 C
moisture sensitive:Yes
mounting style:SMD/SMT
number of drivers:2 Driver
number of outputs:2 Output
operating supply current:350 uA
output current:600 mA
output voltage:20 V
package / case:SOIC-8
партномер8017566953
pd - power dissipation:625 mW
product:Half-Bridge Drivers
product category:Gate Drivers
product type:Gate Drivers
rise time:70 ns
subcategory:PMIC-Power Management ICs
supply voltage - max:20 V
supply voltage - min:10 V
technology:Si
type:High-Side, Low-Side
вес, г0.16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль