BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC848ALT1G
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT ON Semiconductor BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW ...
ON Semiconductor***
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:24:11
БрендON Semiconductor***
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT 100mA 30V NPN
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:24:11
БрендON Semiconductor***
Вес и габариты
Высота0.94 mm
automotiveNo
categoryBipolar Small Signal
configurationSingle
длина2.9 mm
eccn (us)ear99
eu rohscompliant
frequency100(MHz)
frequency (max)100 MHz
hts8541.21.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage30 V dc
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector emitter voltage30 V
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current100 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation300 mW
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain110@2mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingsurface mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements1
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-55C to 150C
output powerNot Required(W)
package height0.94
package length02.09.2024
package typeSOT-23
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8003278067
part statusactive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation0.3(W)
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
rad hardenedNo
размер фабричной упаковки3000
серияBC848AL
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль