Name: AUIRF7669L2TR, MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
SKU: AUIRF7669L2TR

AUIRF7669L2TR, MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Infineon AUIRF7669L2TR, MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH ...

Подробное описание

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки	29.04.2024
Время загрузки	6:11:31
Бренд	INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Все характеристики

2 180 ₽

– +

Бонус: 43.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 180 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.

Информация о производителе
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки	29.04.2024
Время загрузки	6:11:31
Бренд	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес и габариты
automotive	Yes
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
channel type	N
configuration	Single Octal Source Dual Drain
configuration:	Single
eccn (us)	ear99
eu rohs	compliant
factory pack quantity: factory pack quantity:	4000
fall time:	14 ns
forward transconductance - min:	90 S
id - continuous drain current:	114 A
категория	Электронные компоненты/Микросхемы
lead shape	no lead
manufacturer:	Infineon
material	Si
maximum continuous drain current (a)	19
maximum drain source resistance (mohm)	4.4@10V
maximum drain source voltage (v)	100
maximum gate source leakage current (na)	100
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum gate threshold voltage (v)	5
maximum idss (ua)	5
maximum operating temperature:	+175 C
maximum operating temperature (°c)	175
maximum power dissipation (mw)	3300
minimum operating temperature:	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	surface mount
mounting style:	SMD/SMT
number of channels:	1 Channel
number of elements per chip	1
package / case:	DirectFET-L8
packaging	Tape and Reel
партномер	8006212982
part status	active
pcb changed	15
pd - power dissipation:	100 W
pin count	15
ppap	Unknown
process technology	DirectFET
product category	Power MOSFET
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	120 nC
qualification:	AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:	3.5 mOhms
rise time:	30 ns
subcategory:	MOSFETs
supplier package	Direct-FET L8
supplier temperature grade	Automotive
technology:	Si
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical fall time (ns)	14
typical gate charge @ 10v (nc)	81
typical gate charge @ vgs (nc)	81@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	5660@25V
typical rise time (ns)	30
typical turn-off delay time:	27 ns
typical turn-off delay time (ns)	27
typical turn-on delay time:	15 ns
typical turn-on delay time (ns)	15
vds - drain-source breakdown voltage:	100 V
вес, г	0.18
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	4 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

INFINEON TECHNOLOGIES AG.Драйверы MOSFET и IGBT AUIRF7669L2TR