2ED21844S06JXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
Отзывов нет
