TRS12N65FB,S1Q

Подробное описание

Основные
current - average rectified (io) (per diode)	6A (DC)
current - reverse leakage @ vr	30ВµA @ 650V
diode configuration	1 Pair Common Cathode

Все характеристики

1 300 ₽

– +

Бонус: 39 !

Бонусная программа

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Diodes - Rectifiers - ArraysДиодная решетка 1 пара с общим катодом Карбид кремния Шоттки 650V 6A (DC) сквозное отверстие TO-247-3

Основные
current - average rectified (io) (per diode)	6A (DC)
current - reverse leakage @ vr	30ВµA @ 650V
diode configuration	1 Pair Common Cathode
diode type	Silicon Carbide Schottky
eccn	EAR99
htsus	8541.10.0080
ifsm - ударный прямой ток	104 A
if - прямой ток	12 A
ir - обратный ток	0.3 uA
категория продукта	Диоды и выпрямители Шоттки
конфигурация	Dual Anode Common Cathode
максимальная рабочая температура	+ 175 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature - junction	175В°C
package	Tube
package / case	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	130 W
подкатегория	Diodes Rectifiers
продукт	Schottky Silicon Carbide Diodes
размер фабричной упаковки	30
reverse recovery time (trr)	0ns
speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
supplier device package	TO-247
технология	SiC
тип продукта	Schottky Diodes Rectifiers
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
vf - прямое напряжение	1.6 V
вид монтажа	Through Hole
voltage - dc reverse (vr) (max)	650V
voltage - forward (vf) (max) @ if	1.6V @ 6A
vrrm - повторяющееся обратное напряжение	650 V