1N4154TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
1N4154TR
Основные
diameter1.7mm
dimensions1.7 (Dia.) x 3.9mm
diode configurationSingle
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Диоды и выпрямители\Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутацияДиоды - общего назначения, управление питанием, коммутация Vr/35v Io/150mA T/R
Основные
diameter1.7mm
dimensions1.7 (Dia.) x 3.9mm
diode configurationSingle
diode technologySilicon Junction
длина3.9 mm
Высота 1.7 мм
if - прямой ток0.3 A
ir - обратный ток100 nA
категория продуктаДиоды - общего назначения, управление питанием, ко
конфигурацияSingle
length3.9mm
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальный ток перегрузки2 A
maximum diode capacitance4pF
maximum forward current300mA
maximum forward voltage drop1V
maximum operating temperature+175 °C
maximum reverse voltage25V
минимальная рабочая температура65 C
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package typeDO-35
пиковое обратное напряжение35 V
pin count2
подкатегорияDiodes Rectifiers
power dissipation500mW
продуктSwitching Diodes
размер фабричной упаковки10000
тип продуктаDiodes - General Purpose, Power, Switching
тип выводовThrough Hole
торговая маркаVishay Semiconductors
ТипSwitching Diode
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокDO-35
вес, г0.137
vf - прямое напряжение1 V
вид монтажаThrough Hole
время восстановления4 ns
Ширина1.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль