1N3070TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
1N3070TR
Основные
diameter1.91mm
diode configurationОдинарный
diode technologySilicon Junction
83
+
Бонус: 1.66 !
Бонусная программа
Итого: 83
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Диоды и выпрямители\Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутацияДиоды - общего назначения, управление питанием, коммутация Hi Conductance Fast
Основные
diameter1.91mm
diode configurationОдинарный
diode technologySilicon Junction
diode typeSilicon Junction
длина4.56 mm
Высота 1.91 мм
if - прямой ток500 mA
ir - обратный ток0.1 uA
категория продуктаДиоды - общего назначения, управление питанием, ко
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальный ток перегрузки4 A
maximum continuous forward current500mA
maximum forward voltage drop1V
минимальная рабочая температура65 C
mounting typeМонтаж на плату в отверстия
number of elements per chip1
package typeDO-35
peak non-repetitive forward surge current4A
peak reverse recovery time50ns
peak reverse repetitive voltage200V
пиковое обратное напряжение200 V
pin count2
подкатегорияDiodes Rectifiers
размер фабричной упаковки10000
серия1N3070
тип продуктаDiodes - General Purpose, Power, Switching
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипSmall Signal Switching Diode
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокDO-35
вес, г80
vf - прямое напряжение1 V
вид монтажаThrough Hole
время восстановления50 ns
vr - обратное напряжение200 V
Ширина1.91 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль