КА509Б 2003г.

Диоды СВЧ 2А509Б кремниевые, эпитаксиальные, переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-105 с жесткими выводами. Основные технические параметры СВЧ диода 2А509Б: ∙ Общая емкость: 0,7...1 пФ; ∙ Прямое сопротивление потерь: не более 1,5 Ом; ∙ Критическая частота: 150...350 ГГц; ∙ Накопленный заряд диода: не более 25 нКл; ∙ Пробивное напряжение: 200...600 В; ∙ Емкость корпуса: 0,3...0,45 пФ; ∙ Индуктивность диода: 0,5 нГн; ∙ Постоянное обратное напряжение: 150 В; ∙ Мгновенное обратное напряжение: 175 В; ∙ Постоянный прямой ток: 100 мА; ∙ Значение допустимого статического потенциала: 1000 В; ∙ Непрерывная рассеиваемая мощность: 2 Вт; ∙ Импульсная рассеиваемая мощность: 1,4 кВт;