Корпус | |
емкость при vr, f | 10 пФ при 4 В, 1 МГц |
кол-во диодов в корпусе | 1 |
конфигурация диода | Одиночный |
максимальное постоянное обратное напряжение, vr | 200 в |
максимальное прямое напряжение при tj=25 °c, vf при if | 1.3 В при 1 А |
максимальный обратный ток при tj=25 °c, ir при vr | 5 мкА при 200 В |
максимальный (средний) прямой ток на диод, if(av) | 1 А |
рабочая температура pn-прехода | -55…+150 C |
время обратного восстановления, trr | 150 нс |