| Корпус | |
| емкость при vr, f | 28 пФ при 4 В, 1 МГц |
| кол-во диодов в корпусе | 1 |
| конфигурация диода | Одиночный |
| максимальное постоянное обратное напряжение, vr | 200 в |
| максимальное прямое напряжение при tj=25 °c, vf при if | 1.25 В при 3 А |
| максимальный обратный ток при tj=25 °c, ir при vr | 10 мкА при 200 В |
| максимальный (средний) прямой ток на диод, if(av) | 3 а |
| рабочая температура pn-прехода | -50…+125 C |
| вес, г | 1.2 |
| время обратного восстановления, trr | 500 нс |