Photodiode 850 nm 250 mW TO-18

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BPX 65
Photodiode 850 nm 250 mW TO-18
Основные
вес, г0.3
typeChip
pin count2
eu rohscompliant
970
+
Бонус: 19.4 !
Бонусная программа
Итого: 970
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Optical Sensors / Solar CellsФотодиоды Silicon PIN Photodiode
Основные
вес, г0.3
typeChip
pin count2
eu rohscompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)125
mountingThrough Hole
part statusactive
pcb changed2
standard package nameTO-206-AA
supplier packageTO-18
eccn (us)ear99
maximum power dissipation (mw)250
minimum operating temperature (°c)-40
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:Фотодиоды
максимальная рабочая температура:+ 125 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:Optical Detectors and Sensors
продукт:PIN Photodiodes
производитель:Osram Opto Semiconductor
тип продукта:Photodiodes
торговая марка:OSRAM Opto Semiconductors
высота:5.5 mm
длина:5.6 mm
размер фабричной упаковки:120
ширина:5.6 mm
другие названия товара №:Q62702P0027 Q62702P0027
упаковка / блок:TO-18
время нарастания:12 ns
время спада:12 ns
polarityForward
package height5.5(Max)
Вес и габариты
diameter5.6(Max)
pd - рассеивание мощности:250 mW
maximum fall time (ns)12
maximum rise time (ns)12
чувствительность:0.55 A/W
maximum forward voltage (v)1.3
peak wavelength (nm)850
if - прямой ток:100 mA
vf - прямое напряжение:1.3 V
lens typeFlat Glass
vr - обратное напряжение:20 V
maximum reverse voltage (v)50
maximum dark current (na)5
photodiode typePIN
photodiode materialSi
photo sensitivity0.55A/W
пиковая длина волны:850 nm
темновой ток:1 nA
угол половинной интенсивности:40 deg
фототок:10 uA
эквивалентная мощность шума (nep):3.3E-14 W/sqrt Hz
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль