Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В 2DB1132R-13, 32V 1W 180@100mA,3V 1A PNP SOT893 Bipolar Transistors BJT ROHS
Цена
159 000
110 100
60
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 22.02.2024
вес, г 1
Высота 1.5 mm
Производитель Diodes Incorporated
Бренд DIODES INC.
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль