Сравнение

	FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В	BD140-10, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 1,5А; 12,5Вт; TO126	MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Цена	159 000 ₽ 110 100 ₽	40 ₽	86 ₽
Вес и габариты	—	—	—
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
Дата загрузки	—	23.02.2024	20.02.2024
Производитель	—	Continental Device India	ON Semiconductor***
Бренд	—	Continental Device India	ON Semiconductor***
вес, г	—	—	0.6
Корпус	—	—	DPAK/TO-252AA