Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт
Цена
159 000
110 100
86
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 20.02.2024
вес, г 0.6
Производитель ON Semiconductor***
Бренд ON Semiconductor***
Корпус DPAK/TO-252AA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль