Сравнение

	FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В	BD140-10, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 1,5А; 12,5Вт; TO126	TTD1409B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=25W F=1MHZ
Цена	159 000 ₽ 110 100 ₽	40 ₽	460 ₽
Вес и габариты	—	—	—
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
Дата загрузки	—	23.02.2024	12.02.2024
Производитель	—	Continental Device India	Toshiba
Бренд	—	Continental Device India	Toshiba
вес, г	—	—	01.07.2024