Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В 2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM] 2N1711, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39, 8дБ RN1703,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Цена
159 000
110 100
11 260 87
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 23.02.2024 23.02.2024 12.02.2024
вес, г 0.4 0.0062
Производитель Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. Continental Device India Toshiba
Бренд Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. Continental Device India Toshiba
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль