Сравнение

	FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В	2N1711, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39, 8дБ	RN1703,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Цена	159 000 ₽ 110 100 ₽	260 ₽	87 ₽
Вес и габариты	—	—	—
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
Дата загрузки	—	23.02.2024	12.02.2024
Производитель	—	Continental Device India	Toshiba
Бренд	—	Continental Device India	Toshiba
вес, г	—	—	0.0062