Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В 2N1711, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39, 8дБ HN1C03FU-B(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Цена
159 000
110 100
260 130
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 23.02.2024 12.02.2024
Производитель Continental Device India Toshiba
Бренд Continental Device India Toshiba
вес, г 1
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль