Сравнение

	FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В	2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]	BD140-10, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 1,5А; 12,5Вт; TO126	2N1711, Транзистор NPN, биполярный, 50В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39, 8дБ	2N1893, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 500мА, 0,8/3Вт, TO39	2SC2713-BL,LF(T, 100nA 120V 150mW 350@2mA,6V 100mA 100MHz 300mV@10mA,1mA NPN +125°C@(Tj) TO-236-MOD BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Цена	159 000 ₽ 110 100 ₽	11 ₽	40 ₽	260 ₽	320 ₽	45 ₽
Вес и габариты	—	—	—	—	—	—
Информация о производителе	—	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—	—
Дата загрузки	—	23.02.2024	23.02.2024	23.02.2024	23.02.2024	12.02.2024
вес, г	—	0.4	—	—	—	0.03
Производитель	—	Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.	Continental Device India	Continental Device India	Continental Device India	Toshiba
Бренд	—	Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.	Continental Device India	Continental Device India	Continental Device India	Toshiba