Сравнение

FF1200R17KP4_B2 Infineon, IGBT модуль 1200А 1700В BD140-10, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 1,5А; 12,5Вт; TO126 2SC2713-BL,LF(T, 100nA 120V 150mW 350@2mA,6V 100mA 100MHz 300mV@10mA,1mA NPN +125°C@(Tj) TO-236-MOD BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Цена
159 000
110 100
40 45
Вес и габариты
Информация о производителе
Основные
Дата загрузки 23.02.2024 12.02.2024
Производитель Continental Device India Toshiba
Бренд Continental Device India Toshiba
вес, г 0.03
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль