Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	IS61LV5128AL-10TLI
Цена	0 ₽	1 570 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
Производитель	—	ISSI
moisture sensitivity level (msl)	—	3 (168 Hours)
operating temperature	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	Tray
package / case	—	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	—	+85 °C
минимальная рабочая температура	—	-40 °C
подкатегория	—	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	—	135
тип продукта	—	SRAM
торговая марка	—	ISSI
упаковка	—	Tray
упаковка / блок	—	TSOP-44
eccn	—	3A991B2A
htsus	—	8542.32.0041
серия	—	IS61LV5128AL
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	44-TSOP II
длина	—	18.52мм
тип корпуса	—	Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
тип монтажа	—	Поверхностный монтаж
число контактов	—	44
размеры	—	18.52 x 10.29 x 1.05мм
напряжение питания - макс.	—	20 mA, 3.63 V
напряжение питания - мин.	—	3.135 V
тип интерфейса	—	Parallel
voltage - supply	—	3.135V ~ 3.6V
минимальное рабочее напряжение питания	—	3,135 В
максимальное рабочее напряжение питания	—	3,63 В
диапазон данных	—	SDR
technology	—	SRAM - Asynchronous
организация	—	512К слов x 8 бит
количество портов	—	1
размер памяти	—	4 Mbit
memory size	—	4Mb (512K x 8)
максимальная тактовая частота	—	100 MHz
memory type	—	Volatile
объем памяти	—	4Мбит
memory format	—	SRAM
время доступа	—	10 ns
тип синхронизации	—	Асинхронный
access time	—	10ns
memory interface	—	Parallel
write cycle time - word, page	—	10ns
максимальное время произвольного доступа	—	10нс
количество слов	—	512K
low power	—	Yes
количество бит на слово	—	8бит
ширина адресной шины	—	19бит