Сравнение

AP7384-33Y-13 IS61LV5128AL-10TLI
Цена 0 0 1 570
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C +85 °C
минимальная рабочая температура -40 C -40 °C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
Производитель ISSI
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Стат. ОЗУ
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 135
тип продукта SRAM
торговая марка ISSI
упаковка Tray
упаковка / блок TSOP-44
eccn 3A991B2A
htsus 8542.32.0041
серия IS61LV5128AL
reach status REACH Unaffected
supplier device package 44-TSOP II
длина 18.52мм
тип корпуса Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
тип монтажа Поверхностный монтаж
число контактов 44
размеры 18.52 x 10.29 x 1.05мм
напряжение питания - макс. 20 mA, 3.63 V
напряжение питания - мин. 3.135 V
тип интерфейса Parallel
voltage - supply 3.135V ~ 3.6V
минимальное рабочее напряжение питания 3,135 В
максимальное рабочее напряжение питания 3,63 В
диапазон данных SDR
technology SRAM - Asynchronous
организация 512К слов x 8 бит
количество портов 1
размер памяти 4 Mbit
memory size 4Mb (512K x 8)
максимальная тактовая частота 100 MHz
memory type Volatile
объем памяти 4Мбит
memory format SRAM
время доступа 10 ns
тип синхронизации Асинхронный
access time 10ns
memory interface Parallel
write cycle time - word, page 10ns
максимальное время произвольного доступа 10нс
количество слов 512K
low power Yes
количество бит на слово 8бит
ширина адресной шины 19бит
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль