Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	IS61LV256AL-10TLI, IC: память SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP28; параллельный
Цена	0 ₽	0 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	Стат. ОЗУ
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	Memory Data Storage
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	234
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	SRAM
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ISSI
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	TSOP-28
серия	AP7384	—	IS61LV256AL
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	Tray
вес, г	—	—	0.2
moisture sensitivity level (msl)	—	—	3 (168 Hours)
mounting type	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	—	—	Tray
package / case	—	—	28-TSSOP (0.465"", 11.80mm Width)
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
чувствительный к влажности	—	—	Yes
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8542.32.0041
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	28-TSOP I
напряжение питания - макс.	—	—	25 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	—	—	3.135 V
тип интерфейса	—	—	Parallel
voltage - supply	—	—	3.135V ~ 3.6V
диапазон данных	—	—	SDR
technology	—	—	SRAM - Asynchronous
организация	—	—	32 k x 8
количество портов	—	—	1
размер памяти	—	—	256 kbit
memory size	—	—	256Kb (32K x 8)
максимальная тактовая частота	—	—	100 MHz
memory type	—	—	Volatile
memory format	—	—	SRAM
время доступа	—	—	10 ns
access time	—	—	10ns
memory interface	—	—	Parallel
write cycle time - word, page	—	—	10ns