Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	IS43LR32800G-6BLI, DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Цена	0 ₽	0 ₽	1 470 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	—	—
mounting type	Through Hole	—	—
number of outputs	1	—	—
package type	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—
width	3.8mm	—	—
pin count	3	—	90
maximum operating temperature	+125 °C	—	—
output type	Fixed	—	—
output voltage	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—
polarity	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—
maximum output current	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—
вид монтажа	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	DRAM
максимальная рабочая температура	—	—	+ 85 C
минимальная рабочая температура	—	—	40 C
подкатегория	—	—	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	—	—	240
тип продукта	—	—	DRAM
торговая марка	—	—	ISSI
упаковка	—	—	Tray
упаковка / блок	—	—	TFBGA-90
серия	—	—	IS43LR32800G
рабочее напряжение питания	—	—	1.8 V
коммерческое обозначение	—	—	RLDRAM2
напряжение питания - макс.	—	—	130 mA, 1.95 V
напряжение питания - мин.	—	—	1.7 V
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	Ball
maximum operating temperature (°c)	—	—	85
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	NRND
pcb changed	—	—	90
ppap	—	—	No
standard package name	—	—	BGA
supplier package	—	—	TFBGA
eccn (us)	—	—	ear99
minimum operating temperature (°c)	—	—	-40
supplier temperature grade	—	—	Industrial
maximum operating supply voltage (v)	—	—	1.95
interface type	—	—	LVCMOS
minimum operating supply voltage (v)	—	—	1.7
typical operating supply voltage (v)	—	—	1.8
организация	—	—	8 M x 32
ширина шины данных	—	—	32 bit
размер памяти	—	—	256 Mbit
максимальная тактовая частота	—	—	166 MHz
время доступа	—	—	6 ns
chip density (bit)	—	—	256M
operating current (ma)	—	—	130
organization	—	—	8Mx32
number of bits/word (bit)	—	—	32
maximum clock rate (mhz)	—	—	166
dram type	—	—	Mobile-DDR SDRAM
maximum access time (ns)	—	—	8|5.5
number of i/o lines (bit)	—	—	32
number of internal banks	—	—	4
number of words per bank	—	—	2M