Сравнение

IS43LR32800G-6BLI, DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Цена 0 1 470
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта DRAM
максимальная рабочая температура + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 240
тип продукта DRAM
торговая марка ISSI
упаковка Tray
упаковка / блок TFBGA-90
серия IS43LR32800G
рабочее напряжение питания 1.8 V
коммерческое обозначение RLDRAM2
pin count 90
напряжение питания - макс. 130 mA, 1.95 V
напряжение питания - мин. 1.7 V
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Ball
maximum operating temperature (°c) 85
mounting surface mount
part status NRND
pcb changed 90
ppap No
standard package name BGA
supplier package TFBGA
eccn (us) ear99
minimum operating temperature (°c) -40
supplier temperature grade Industrial
maximum operating supply voltage (v) 1.95
interface type LVCMOS
minimum operating supply voltage (v) 1.7
typical operating supply voltage (v) 1.8
организация 8 M x 32
ширина шины данных 32 bit
размер памяти 256 Mbit
максимальная тактовая частота 166 MHz
время доступа 6 ns
chip density (bit) 256M
operating current (ma) 130
organization 8Mx32
number of bits/word (bit) 32
maximum clock rate (mhz) 166
dram type Mobile-DDR SDRAM
maximum access time (ns) 8|5.5
number of i/o lines (bit) 32
number of internal banks 4
number of words per bank 2M
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль